vn05n.pdf Интегральные микросхемы - Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника
| » Home / Интегральные микросхемы / V / vn |
Чип динамической ОЗУ с наивысшей интеграцией
Чип 4 Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 производства компании Samsung выполнен по техпроцессу 50 нм и имеет наивысшую интеграцию. Чип может применяться в 16 Гбайт - модулях памяти DIMM для серверов, а также в 8 Гбайт - небуферизованный модулях DIMM. Напряжение питания Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 составляет 1.35 В. Ис... далее...
Высокочувствительный GPS-модуль A1080-A от компании Tyco на базе чипсета SiRF Star III
A1080-A – высокочувствительный GPS-модуль от компании Tyco, позволяющий осуществлять позиционирование даже внутри зданий. В его основе лежит популярный чипсет SiRF Star III. A1080-A может быть легко интегрирован в носимые GPS-устройства с батарейным питанием. Отличительными чертами...Подробне... далее...
Компания IR выпустила управляющую микросхему XPhase IR3513
Компания International Rectifier представила управляющую микросхему XPhase IR3513 для использования в конструкциях стабилизаторов для локальной нагрузки (POL).
IR3513 выполняет полный контроль наращиваемого количества фаз источника питания, наряду со встроенным драйвером затвора, датчиком тока,...Подробне... далее...