Интегральные микросхемы F Fm Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

Каталог | Поиск | Новости | Ссылки | Вход Язык: Интегральные микросхемы F Fm скачать datasheet service manual software Service Manual download datasheet schematic
» Home / Интегральные микросхемы / F / fm  

fm1216.pdf
fm1216.pdf
(154.86Kb)
fm1236.pdf
fm1236.pdf
(144.58Kb)
fm1246.pdf
fm1246.pdf
(151.24Kb)
fm24c04.pdf
fm24c04.pdf
(414.7Kb)
fm24c16.pdf
fm24c16.pdf
(354.05Kb)
fm24c17u.pdf
fm24c17u.pdf
(103.6Kb)
fm24c64.pdf
fm24c64.pdf
(313.06Kb)
fm25040.pdf
fm25040.pdf
(639.93Kb)
fm25160.pdf
fm25160.pdf
(687Kb)
fm25640.pdf
fm25640.pdf
(490.08Kb)
fm25c160.pdf
fm25c160.pdf
(655.37Kb)
fm93c56a.pdf
fm93c56a.pdf
(118.31Kb)
fm93c66a.pdf
fm93c66a.pdf
(117.82Kb)
fm93cs56.pdf
fm93cs56.pdf
(171.92Kb)
fm93cs66.pdf
fm93cs66.pdf
(171.49Kb)
Ещё в F:
Горячие новости радиоэлектроники
Коаксиальные кабели для цифровых приложений
Коаксиальные кабели серий DS-3 и DS-4 производства компании Belden предназначены для применения в приложениях, где требуется передача цифровых сигналов. По американской системе оценки проводов изделия могут иметь размеры 26 AWG и 20 AWG. Конфигурация сборки - либо три, либо шесть кабелей. Изделия совместимы со стандартными соединителями, при необходимости центральный медный проводник может быть покрыт серебром. Источник: http://www.ecnmag.com/product-Coax-Cables-Connect-Digital-Apps.aspx?menuid=0 ... далее »
 
6 Вт DC/DC – преобразователи с улучшенной развязкой
DC/DC преобразовательные модули серии THB-6 производства компании Tracopower поставляются в DIP - корпусах с 24 выводами и обеспечивают 6 Вт выходной мощности. Развязка по переменному току составляет 4000 В, диапазон входных постоянных напряжений от 9 В до 18 В, от 18 В до 36 В и от 36 В до 75 В. Выходное постоянное напряжение может быть 5 В, 12 В, ±12 В и ±15 В. Диапазон рабочих температур от -40°C до 85°C. Изделия могут применяться в системах транспортировки, приложениях промышленного контроля, медицинском оборудова... далее »
 
Чип динамической ОЗУ с наивысшей интеграцией
Чип 4 Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 производства компании Samsung выполнен по техпроцессу 50 нм и имеет наивысшую интеграцию. Чип может применяться в 16 Гбайт - модулях памяти DIMM для серверов, а также в 8 Гбайт - небуферизованный модулях DIMM. Напряжение питания Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 составляет 1.35 В. Источник: http://www.ecnmag.com/product-DRAM-Chip-Is-Densest-Available-013009.aspx ... далее »
 
Rambler's Top100
Генерация страницы: 0.036 сек Copyright © DDR'Service, 2007-2018