Журнал Радиоаматор 2000 Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

Каталог | Поиск | Новости | Ссылки | Вход Язык: Журнал Радиоаматор 2000 скачать datasheet service manual software Service Manual download datasheet schematic
» Home / Журналы / Радиоаматор / 2000  

ra2000_01.pdf
ra2000 01.pdf
(2.18Mb)
ra2000_02.pdf
ra2000 02.pdf
(2.6Mb)
ra2000_03.pdf
ra2000 03.pdf
(3.3Mb)
ra2000_04.pdf
ra2000 04.pdf
(3.35Mb)
ra2000_05.pdf
ra2000 05.pdf
(2.58Mb)
ra2000_06.pdf
ra2000 06.pdf
(3.21Mb)
ra2000_07.pdf
ra2000 07.pdf
(2.27Mb)
ra2000_08.pdf
ra2000 08.pdf
(3.53Mb)
ra2000_09.pdf
ra2000 09.pdf
(3.83Mb)
ra2000_10.pdf
ra2000 10.pdf
(2.38Mb)
ra2000_11.pdf
ra2000 11.pdf
(3.02Mb)
ra2000_12.pdf
ra2000 12.pdf
(2.33Mb)
Ещё в Радиоаматор:
Горячие новости радиоэлектроники
Построение надежных MESH-сетей на базе трансиверов DRF7020M13x для промышленной автоматизации
Специально для построения разветвленных сетей беспроводной промышленной автоматизации с MESH-структурой мы рекомендуем использовать модули приемопередатчиков DRF7020M13N и концентраторов DRF7020M13C торговой марки DORJI. Встроенный в них сетевой MNET-протокол адаптирован для построения надежных...Подробне... далее »
 
Усилитель звуковой частоты NCP2824 компании ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor представила усилитель звуковой частоты класса D NCP2824, обеспечивающий выходную мощность 2.4 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом и напряжении питания 5 В. При том же напряжении питания усилитель способен выдать 1.2 Вт при сопротивлении нагрузки 8 Ом. Компонент поставляется в корпусе с 9 выводами, габаритные размеры 1.45 мм х 1.45 мм. Усилитель предназначен для применения в таких конечных приложениях как сотовые телефоны, портативные медиа плееры, а также устройства GPS. Источник ... далее »
 
GaN несогласованный транзистор компании RF Micro Devices
Компания RF Micro Devices, ведущий разработчик и изготовитель радиочастотных компонентов и полупроводников, представила 75 Вт нитрид галлиевый (GaN) несогласованный транзистор RF3932, имеющий высокий КПД и превосходящий по характеристикам транзисторы, выполненные по арсенид галлиевой (GaAs) и кремниевой технологии. Компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 0 до 3 ГГц. Пиковое значение КПД составляет более 65%. На базе GaN процесса компании RFMD могут быть созданы малогабаритные и высокоэффективные усилители мощности для таких ... далее »
 
Rambler's Top100
Генерация страницы: 0.015 сек Copyright © DDR'Service, 2007-2019