Журнал Радиолюбитель 2002 Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

Каталог | Поиск | Новости | Ссылки | Вход Язык: Service Manual скачать электрические схемы документацию Service Manual download datasheet schematic
» Home / Журналы / Радиолюбитель / 2002  

rl2002_01.djvu
rl2002 01.djvu
(3.42Mb)
rl2002_02.djvu
rl2002 02.djvu
(4.66Mb)
rl2002_03.djvu
rl2002 03.djvu
(4.92Mb)
rl2002_04.djvu
rl2002 04.djvu
(4.35Mb)
rl2002_05.djvu
rl2002 05.djvu
(4.51Mb)
rl2002_06.djvu
rl2002 06.djvu
(5.99Mb)
rl2002_07.djvu
rl2002 07.djvu
(4.93Mb)
rl2002_08.djvu
rl2002 08.djvu
(6.28Mb)
rl2002_09.djvu
rl2002 09.djvu
(5.03Mb)
rl2002_10.djvu
rl2002 10.djvu
(5.09Mb)
rl2002_11.djvu
rl2002 11.djvu
(6.53Mb)
rl2002_12.djvu
rl2002 12.djvu
(5.6Mb)
Ещё в Радиолюбитель:
Горячие новости радиоэлектроники
Коаксиальные кабели для цифровых приложений
Коаксиальные кабели серий DS-3 и DS-4 производства компании Belden предназначены для применения в приложениях, где требуется передача цифровых сигналов. По американской системе оценки проводов изделия могут иметь размеры 26 AWG и 20 AWG. Конфигурация сборки - либо три, либо шесть кабелей. Изделия совместимы со стандартными соединителями, при необходимости центральный медный проводник может быть покрыт серебром. Источник: http://www.ecnmag.com/product-Coax-Cables-Connect-Digital-Apps.aspx?menuid=0 ... далее »
 
6 Вт DC/DC – преобразователи с улучшенной развязкой
DC/DC преобразовательные модули серии THB-6 производства компании Tracopower поставляются в DIP - корпусах с 24 выводами и обеспечивают 6 Вт выходной мощности. Развязка по переменному току составляет 4000 В, диапазон входных постоянных напряжений от 9 В до 18 В, от 18 В до 36 В и от 36 В до 75 В. Выходное постоянное напряжение может быть 5 В, 12 В, ±12 В и ±15 В. Диапазон рабочих температур от -40°C до 85°C. Изделия могут применяться в системах транспортировки, приложениях промышленного контроля, медицинском оборудова... далее »
 
Чип динамической ОЗУ с наивысшей интеграцией
Чип 4 Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 производства компании Samsung выполнен по техпроцессу 50 нм и имеет наивысшую интеграцию. Чип может применяться в 16 Гбайт - модулях памяти DIMM для серверов, а также в 8 Гбайт - небуферизованный модулях DIMM. Напряжение питания Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 составляет 1.35 В. Источник: http://www.ecnmag.com/product-DRAM-Chip-Is-Densest-Available-013009.aspx ... далее »
 
Rambler's Top100
Генерация страницы: 0.044 сек Copyright © DDR'Service, 2007-2010