|
||||
|
||||
|
||||
Сторите так же:
DAEWOO 710B SONY CPD E100 SONY CPD E200E ROLSEN C509 ROLSEN C708 ROLSEN C706 HYUNDAI HL5864 HYUNDAI S570 DELUXSCAN LG 795CU 1425PLUS CA09 LG FB795CU CS480 FB775B LG CB450B BELINEA 103040 журнал Радио P2Kman.zip MONITOR MITSUBISHI DIAMOND PRO 2070 NEC JC2001 VME EE R NEC JC1432VMA NEC2141 NEC JC1734VMA MITSUBISHI DIAMOND VIEW 1770FD MITSUBISHI TFS6705 NEC JC1601 NEC FE750 NEC JC1404 HME MITSUBISHI DIAMOND VIEW 1786FD2 NEC DIAMOND VIEW 1770H ACER 7276E ACER AL702SG LCD ACER FP553 |
||||
| Горячие новости радиоэлектроники | ||||
|
Новый T1/E1/J-приёмопередатчик от компании Dallas Semiconductor
Дочерняя компания Maxim Integrated Products - Dallas Semiconductor представляет микросхему DS26519 - первый на рынке 16-портовый T1/E1/J-приёмопередатчик для коротких и длинных линий связи. Имея 16 портов, этот однокристальный приёмопередатчик представляет собой самое высокоинтегрированное и самое низкое по стоимости в расчёте на один порт устройство на рынке. Высокая интегрированность DS26519 и питание от источника низкого напряжения 1,8/3,3 В делают его идеально подходящим для блоков обслуживания каналов (CSU), устройств обработки да... далее »
Импульсный регулятор MCZ34670 систем Power-over-Ethernet от FREESCALE
MCZ34670EG – интегральное решение, сочетающее интерфейсный порт устройства с питанием от сети Ethernet (PD), поддерживающий стандарт IEEE 802.3af PoE, и ШИМ-модулятор с регулировкой по току. Для построения законченного устройства с эффективным DC/DC-преобразователем и поддержкой всех...Подробне... далее »
Новые DirectFET® MOSFET-транзисторы от International Rectifier
Компания International Rectifier, IR®, мировой лидер в технологии управления электропитанием, представила новый набор микросхем DirectFET® MOSFET для DC-DC преобразователей с высоким выходным током, используемых в ноутбуках, высококлассных настольных компьютерах и серверах, в телекоммуникационных системах и системах передачи данных. MOSFET-транзистор IRF6716M имеет очень низкое сопротивление исток-сток во включенном состоянии RDS(on), составляющее при напряжении затвор-исток VGS = 10 В всего лишь 1,2 мОм и при VGS = ... далее » | ||||
|