|
Компания Hynix Semiconductor представила семейство микросхем и модулей памяти большого объёма базирующихся на первой в промышленности микросхеме DDR2 DRAM, 60 нм, 1 Гб. Hynix является также первым поставщиком DRAM-устройств, чья микросхема 1 Гб DDR2 DRAM находится на утверждении у компании Intel, а модули, использующие этот компонент, проходят техническую оценку. Успешный запуск 60 нм - техпроцесса делает компанию Hynix лидером по современному уровню разработки DRAM-памяти и организации производственного процесса. Модули типа UDIMM объёмом 1 Гб и 2 Гб могут гордиться рабочими скоростями в 800 МГц - самыми высокими в своём классе. С развитием 60 нм техпроцесса, ожидается снижение стоимости производства 1 Гб DRAM-памяти до 50 %, по сравнению с 80 нм технологиями первого поколения, что значительно улучшит ценовую конкурентоспособность компании Hynix в этой области производства. Достигнутый размер 1 Гб-микросхемы позволяет компании Hynix наладить рентабельное производство модулей памяти типа RDIMM (буферизированный DIMM) и FBDIMM (полностью буферизированный DIMM) объёмами 4 Гб и более. Планарный двурядный монтаж, возможный благодаря малому размеру микросхемы, устраняет необходимость монтажа микросхем «друг на друга» в некоторых модулях, благодаря чему понижается общая стоимость производства. Также, благодаря малым размерам микросхемы, становится возможным производство VLP-модулей (very low profile module - низкопрофильные (по габаритному размеру) модули памяти).  Подробнее
2007-01-02 12:47:38
|
