SGH-E340_schematics.pdf GSM мобильные телефоны Samsung - Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

 



Горячие новости радиоэлектроники
Силовой N-канальный МОП-транзистор NTTFS5811NL компании ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor представила силовой N-канальный МОП-транзистор NTTFS5811NL, предназначенный для применения в таких приложениях как DC-DC преобразователи, синхронные выпрямители, схемы логического сложения и системы управления двигателями постоянного тока. Транзистор рассчитан на напряжение 40 В и силу тока 53 А. Сопротивление «сток-исток» в открытом состоянии 6.4 мОм. Компонент поставляется в корпусе WDFN8 с 8 выводами, удовлетворяет требованиям предельного содержания вредных веществ и не содержит галогенов. Источн... далее...
Встраиваемое решение ISSPLHAWK на базе процессора OMAP L138
ISSPLHAWK – встраиваемое решение на базе процессора OMAP L138 с ядром ARM9+DSP. Ядро ARM926EJ-STM и DSP C674x работают на тактовой частоте 300 МГц и позволяют применять встраиваемое решение в мультимедийных приложениях требовательных к ресурсам системы при малом энергопотреблении. На...Подробне... далее...
HEXFET силовые МОП-транзисторы компании International Rectifier
Компания International Rectifier анонсировала расширение линейки HEXFET силовых МОП-транзисторов, поставляемых в корпусе PQFN, габаритные размеры посадочного места 5 мм х 6 мм. Компоненты могут применяться в таких приложениях как DC-DC преобразователи для сетевого и телекоммуникационного оборудования, AC-DC импульсные источники питания и ключевые схемы в системах управления двигателями. Диапазон напряжений, на которые рассчитаны транзисторы, составляет от 40 В до 250 В. Тепловое сопротивление менее 0.5 °C/Вт. Компоненты удовлетворяют тр... далее...