Журнал Ремонт и сервис № 11 за 2006 год
Скачать rc2006_11.djvu

 



Горячие новости радиоэлектроники
Секция диодов ESDR0524P для защиты от электростатического воздействия
Компания ON Semiconductor представила секцию диодов ESDR0524P для защиты от электростатического воздействия. Сверхнизкая емкость (типовое значение 0.3 пФ), а также низкое напряжение срабатывания делают данный компонент идеальным для защиты высокоскоростных линий передачи данных от электростатического воздействия. Конечные приложения для применения: цифровые ТВ, игровые приставки, а также проигрыватели DVD. Компонент поставляется в корпусе UDFN10 (габаритные размеры 2.5 мм x1 мм), удовлетворяет требованиям стандарта IEC 6100-4-2 и не содержи... далее...
Генераторы, управляемые напряжением, серии CVCOT8BE компании Crystek
Компания Crystek представила новые генераторы, управляемые напряжением, серии CVCOT8BE, которые можно применять в жестких условиях работы аппаратуры. Компоненты поставляются в прочном и герметичном корпусе TO-8 с золочеными выводами. В настоящее время доступны две модели: CVCOT8BE-2100-2200 (2100-2200 МГц) и CVCOT8BE-2400-2500 (2400-2500 МГц). По заказу могут быть реализованы модели с рабочими частотами в диапазоне от 1 ГГц до 5 ГГц. Спектральная плотность фазового шума на отстройке 10 кГц составляет -101 дБн/Гц. Крутизна перестройки 55 МГц... далее...
Силовой N-канальный МОП-транзистор NDF08N60Z компании ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor представила силовой N-канальный МОП-транзистор NDF08N60Z, предназначенный для применения в таких приложениях как адаптеры питания ноутбуков, принтеров и игровых приставок, источниках питания LCD панелей. Транзистор рассчитан на напряжение 600 В. Сопротивление «сток-исток» в открытом состоянии составляет 0.95 Ом. Компонент поставляется в корпусе TO-220 с 3 выводами, удовлетворяет требованиям предельного содержания вредных веществ и не содержит свинца. Источник ... далее...