Компоненты Transistors S Ste Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

 

ste10-100a.pdf
ste10-100a.pdf
(396.07Kb)
ste100p.pdf
ste100p.pdf
(218.15Kb)
ste110na20.pdf
ste110na20.pdf
(367.78Kb)
ste110ns20fd.pdf
ste110ns20fd.pdf
(277.87Kb)
ste15na100.pdf
ste15na100.pdf
(80.16Kb)
ste180n10.pdf
ste180n10.pdf
(284.13Kb)
ste180ne10.pdf
ste180ne10.pdf
(292.34Kb)
ste24na100.pdf
ste24na100.pdf
(92.81Kb)
ste250ns10.pdf
ste250ns10.pdf
(297.71Kb)
ste26na90.pdf
ste26na90.pdf
(92.8Kb)
ste38nb50.pdf
ste38nb50.pdf
(280.95Kb)
ste38nb50f.pdf
ste38nb50f.pdf
(271.96Kb)
ste40na60.pdf
ste40na60.pdf
(97.51Kb)
ste40nc60.pdf
ste40nc60.pdf
(270.6Kb)
ste48nm50.pdf
ste48nm50.pdf
(273.44Kb)
ste53na50.pdf
ste53na50.pdf
(280.04Kb)
ste53nc50.pdf
ste53nc50.pdf
(275.64Kb)
ste60ne03l.pdf
ste60ne03l.pdf
(99.01Kb)
ste70nm50.pdf
ste70nm50.pdf
(288.29Kb)
ste800p.pdf
ste800p.pdf
(54.07Kb)
Ещё в S:
Горячие новости радиоэлектроники
Коаксиальные кабели для цифровых приложений
Коаксиальные кабели серий DS-3 и DS-4 производства компании Belden предназначены для применения в приложениях, где требуется передача цифровых сигналов. По американской системе оценки проводов изделия могут иметь размеры 26 AWG и 20 AWG. Конфигурация сборки - либо три, либо шесть кабелей. Изделия совместимы со стандартными соединителями, при необходимости центральный медный проводник может быть покрыт серебром. Источник: http://www.ecnmag.com/product-Coax-Cables-Connect-Digital-Apps.aspx?menuid=0 ... далее...
6 Вт DC/DC – преобразователи с улучшенной развязкой
DC/DC преобразовательные модули серии THB-6 производства компании Tracopower поставляются в DIP - корпусах с 24 выводами и обеспечивают 6 Вт выходной мощности. Развязка по переменному току составляет 4000 В, диапазон входных постоянных напряжений от 9 В до 18 В, от 18 В до 36 В и от 36 В до 75 В. Выходное постоянное напряжение может быть 5 В, 12 В, ±12 В и ±15 В. Диапазон рабочих температур от -40°C до 85°C. Изделия могут применяться в системах транспортировки, приложениях промышленного контроля, медицинском оборудова... далее...
Чип динамической ОЗУ с наивысшей интеграцией
Чип 4 Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 производства компании Samsung выполнен по техпроцессу 50 нм и имеет наивысшую интеграцию. Чип может применяться в 16 Гбайт - модулях памяти DIMM для серверов, а также в 8 Гбайт - небуферизованный модулях DIMM. Напряжение питания Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 составляет 1.35 В. Источник: http://www.ecnmag.com/product-DRAM-Chip-Is-Densest-Available-013009.aspx ... далее...