Интегральные микросхемы N Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

Каталог | Поиск | Новости | Ссылки | Вход Язык: Интегральные микросхемы N скачать datasheet service manual software Service Manual download datasheet schematic
» Home / Интегральные микросхемы / N  

ne

ne

nj

nj

n28f020-90.pdf
n28f020-90.pdf
(14.62Kb)
n410b.pdf
n410b.pdf
(286.72Kb)
nc7s14.pdf
nc7s14.pdf
(79.98Kb)
nc7sz00.pdf
nc7sz00.pdf
(83.91Kb)
nc7sz125p5.pdf
nc7sz125p5.pdf
(20.3Kb)
nd5000lbgc-66.pdf
nd5000lbgc-66.pdf
(49.28Kb)
nds9410a.pdf
nds9410a.pdf
(77.85Kb)
nds9435a.pdf
nds9435a.pdf
(225.61Kb)
ng80386sx.pdf
ng80386sx.pdf
(52.9Kb)
nh28sf040-150-4cf.pdf
nh28sf040-150-4cf.pdf
(16.08Kb)
nn514256j-45-t.pdf
nn514256j-45-t.pdf
(34.3Kb)
nn51v4265altt-60t.pdf
nn51v4265altt-60t.pdf
(36.64Kb)
nr4700lmqb-133.pdf
nr4700lmqb-133.pdf
(26.29Kb)
nsam266sa.pdf
nsam266sa.pdf
(571.11Kb)
nvm3060.pdf
nvm3060.pdf
(577.19Kb)
Ещё в Интегральные микросхемы:
Горячие новости радиоэлектроники
Компания Rohm выпустила ряд микросхем драйверов полных мостовых схем
Серия микросхем BD62xx обеспечивает совместимый с уровнями TTL-интерфейс между внешним микроконтроллером и встроенной схемой преобразования "опорное напряжение – ШИМ-сигнал", обеспечивая реализацию энергосберегающего ШИМ-управления с помощью входного аналогового напряжения. Серия микросхем...Подробне... далее »
 
Трансивер MC13201FC для ISM-диапазона от Freescale
MC13201FC – малопотребляющий трансивер для ISM -иапазона работает на частоте 2, 4ГГц и полностью совместим с физическим уровнем стандарта 802.15.4. Устройство можно связать с микроконтроллером по 4-проводному интерфейсу SPI, а вывод запроса прерывания позволяет использовать различные...Подробне... далее »
 
Аттенюаторы, обеспечивающие четыре значения ослабления
Аттенюаторы линейки MTA1225 производства компании State of the Art имеют габаритные размеры 0.125" × 0.250" × 0.015". В одном кристалле реализуются стандартные значения ослаблений 1 дБ, 3 дБ, 6 дБ и 10 дБ. Значение КСВн для всех состояний аттенюатора не превышает 1.500:1, ошибка ослабления не превышает 10%. Использования данных чипов устраняет необходимость использования множества аттенюаторов и производить их коммутацию. Устройства выполнены с использованием толстопленочных резистивных элементов на основе окиси алюминия. Выводы... далее »
 
Генерация страницы: 0.016 сек Copyright © DDR'Service, 2007-2020