Интегральные микросхемы D Ds Ds8 Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

 

ds80c310.pdf
ds80c310.pdf
(331.85Kb)
ds80c320.pdf
ds80c320.pdf
(435.02Kb)
ds80c400.pdf
ds80c400.pdf
(1.61Mb)
ds80ch11.pdf
ds80ch11.pdf
(598.47Kb)
ds87c520.pdf
ds87c520.pdf
(478.99Kb)
ds87c530.pdf
ds87c530.pdf
(435.18Kb)
ds87c550.pdf
ds87c550.pdf
(763.08Kb)
ds8922m.pdf
ds8922m.pdf
(6.84Kb)
ds89c420.pdf
ds89c420.pdf
(586.58Kb)
Ещё в ds:
Горячие новости радиоэлектроники
Преобразователи напряжения VIPER27HN и VIPER28HN от STMicroelectronics
Компания STMicroelectronics представила новые преобразователи напряжения семейства VIPer Plus. VIPER27HN и VIPER28HN - микросхемы с ШИМ контроллером и интегрированным MOSFET, предназначенные для построения обратноходовых понижающих источников питания. Преобразователи отличаются сверхнизким...Подробне... далее...
Компания Ramtron представила два F-RAM компонента
Компания Ramtron представила FM24V05 и FM24V10 - параллельные и последовательные F-RAM компоненты, которые обеспечивают высокую скорость чтения/записи, пониженное напряжение питания и выполнение дополнительных функций. Микросхема FM24V05 имеет емкость 512 Кбит, а FM24V10 – 1 Мбит. Это...Подробне... далее...
Специалисты Neo Solar Power повысили КПД серийных солнечных элементов
Тайваньская компания Neo Solar Power объявила о начале пробного производства солнечных элементов Supercell из поликристаллического кремния (poly-Si), имеющих КПД преобразования солнечной энергии в электрическую 16,8%. Компания обещает скоро начать массовое производство таких элементов. Указное выше значение КПД преобразования превышает значение, свойственное другим элементам из poly-Si на 0,6-1%. Такого результата удалось достичь, улучшив поглощение света и усовершенствовав металлические электроды, уточняет Neo Solar Power. Поскольку выпуск S... далее...