Интегральные микросхемы S Sab Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

 

sab6456.pdf
sab6456.pdf
(77.65Kb)
sab6456_t_cnv_2.pdf
sab6456 t cnv 2.pdf
(73.15Kb)
sab82257.pdf
sab82257.pdf
(296.88Kb)
sab8225k.pdf
sab8225k.pdf
(20.46Kb)
sab8251d.pdf
sab8251d.pdf
(57.25Kb)
sab82525.pdf
sab82525.pdf
(1.88Mb)
sab8252k.pdf
sab8252k.pdf
(17.93Kb)
sab82532.pdf
sab82532.pdf
(2.39Mb)
sab82538.pdf
sab82538.pdf
(2.16Mb)
sab8253a.pdf
sab8253a.pdf
(506.33Kb)
sab8253e.pdf
sab8253e.pdf
(5.1Kb)
sab8253k.pdf
sab8253k.pdf
(26.45Kb)
sab8258d.pdf
sab8258d.pdf
(68.35Kb)
sab8258e.pdf
sab8258e.pdf
(5.1Kb)
sab8258k.pdf
sab8258k.pdf
(16.84Kb)
sab9075h.pdf
sab9075h.pdf
(263.25Kb)
sab9075h_1.pdf
sab9075h 1.pdf
(158.17Kb)
sab9076h.pdf
sab9076h.pdf
(235.83Kb)
sab9076h_1.pdf
sab9076h 1.pdf
(154.67Kb)
sab9077h.pdf
sab9077h.pdf
(31.75Kb)
sab9077h_1.pdf
sab9077h 1.pdf
(148.42Kb)
sab9082_2.pdf
sab9082 2.pdf
(112.08Kb)
Ещё в S:
Горячие новости радиоэлектроники
Коаксиальные кабели для цифровых приложений
Коаксиальные кабели серий DS-3 и DS-4 производства компании Belden предназначены для применения в приложениях, где требуется передача цифровых сигналов. По американской системе оценки проводов изделия могут иметь размеры 26 AWG и 20 AWG. Конфигурация сборки - либо три, либо шесть кабелей. Изделия совместимы со стандартными соединителями, при необходимости центральный медный проводник может быть покрыт серебром. Источник: http://www.ecnmag.com/product-Coax-Cables-Connect-Digital-Apps.aspx?menuid=0 ... далее...
6 Вт DC/DC – преобразователи с улучшенной развязкой
DC/DC преобразовательные модули серии THB-6 производства компании Tracopower поставляются в DIP - корпусах с 24 выводами и обеспечивают 6 Вт выходной мощности. Развязка по переменному току составляет 4000 В, диапазон входных постоянных напряжений от 9 В до 18 В, от 18 В до 36 В и от 36 В до 75 В. Выходное постоянное напряжение может быть 5 В, 12 В, ±12 В и ±15 В. Диапазон рабочих температур от -40°C до 85°C. Изделия могут применяться в системах транспортировки, приложениях промышленного контроля, медицинском оборудова... далее...
Чип динамической ОЗУ с наивысшей интеграцией
Чип 4 Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 производства компании Samsung выполнен по техпроцессу 50 нм и имеет наивысшую интеграцию. Чип может применяться в 16 Гбайт - модулях памяти DIMM для серверов, а также в 8 Гбайт - небуферизованный модулях DIMM. Напряжение питания Гбайт - динамической ОЗУ DDR3 составляет 1.35 В. Источник: http://www.ecnmag.com/product-DRAM-Chip-Is-Densest-Available-013009.aspx ... далее...