Интегральные микросхемы S Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

 

sa

sa

saa

saa

sab

sab

sc

sc

sla

sla

stk

stk

stl

stl

str

str

stv

stv

s5703.pdf
s5703.pdf
(104.99Kb)
s5707.pdf
s5707.pdf
(105.01Kb)
s6401.pdf
s6401.pdf
(127.91Kb)
s6411.pdf
s6411.pdf
(125.86Kb)
s6511.pdf
s6511.pdf
(93.76Kb)
s6513.pdf
s6513.pdf
(93.95Kb)
s6525.pdf
s6525.pdf
(106.04Kb)
s6529.pdf
s6529.pdf
(97.58Kb)
s6703.pdf
s6703.pdf
(106.03Kb)
s6707.pdf
s6707.pdf
(103.91Kb)
s8x145.pdf
s8x145.pdf
(104.04Kb)
sda2516.pdf
sda2516.pdf
(272.94Kb)
sda2526.pdf
sda2526.pdf
(273.33Kb)
sed1335.pdf
sed1335.pdf
(402.11Kb)
sg2524.pdf
sg2524.pdf
(107.41Kb)
sg6105.pdf
sg6105.pdf
(648.23Kb)
sg6105d1_sg.pdf
sg6105d1 sg.pdf
(648.23Kb)
sg6105d1z_sg.pdf
sg6105d1z sg.pdf
(648.23Kb)
sn54_245.pdf
sn54 245.pdf
(150.13Kb)
srt2005e.pdf
srt2005e.pdf
(40.95Kb)
ssm2135.pdf
ssm2135.pdf
(580.95Kb)
ssm2142.pdf
ssm2142.pdf
(226.78Kb)
ssm2143.pdf
ssm2143.pdf
(363.6Kb)
ST232BD.pdf
ST232BD.pdf
(95.36Kb)
stf42.pdf
stf42.pdf
(38.93Kb)
stf715.pdf
stf715.pdf
(57.9Kb)
stf817.pdf
stf817.pdf
(57.85Kb)
stf92.pdf
stf92.pdf
(38.74Kb)
stg3157.pdf
stg3157.pdf
(245.56Kb)
stg719.pdf
stg719.pdf
(201.68Kb)
stil02-p5.pdf
stil02-p5.pdf
(60.9Kb)
stil04-p5.pdf
stil04-p5.pdf
(61.38Kb)
stsa851.pdf
stsa851.pdf
(226.53Kb)
stsj100nh3ll.pdf
stsj100nh3ll.pdf
(107.45Kb)
stsj25nf3ll.pdf
stsj25nf3ll.pdf
(469.7Kb)
stsj2nm60.pdf
stsj2nm60.pdf
(223.55Kb)
stsj3nm50.pdf
stsj3nm50.pdf
(220.93Kb)
stsr220.pdf
stsr220.pdf
(16.06Kb)
stsr3.pdf
stsr3.pdf
(269.12Kb)
sxt2222a.pdf
sxt2222a.pdf
(155.18Kb)
sxt2907a.pdf
sxt2907a.pdf
(177.83Kb)
sxt3904.pdf
sxt3904.pdf
(199.24Kb)
sxt3906.pdf
sxt3906.pdf
(165.54Kb)
sxta42.pdf
sxta42.pdf
(138.74Kb)
sxta92.pdf
sxta92.pdf
(138.42Kb)
sym53c720rev.pdf
sym53c720rev.pdf
(49.46Kb)
sym53cf92a-64qfp.pdf
sym53cf92a-64qfp.pdf
(46Kb)
sym53cf96-2.pdf
sym53cf96-2.pdf
(36.69Kb)
sza1010.pdf
sza1010.pdf
(125.88Kb)
Ещё в Интегральные микросхемы:

Горячие новости радиоэлектроники
Усилители на основе GaAs технологии
Пять широкополосных усилителей на основе GaAs технологии производства компании Teseq предназначены для приложений, в которых проводятся испытания на электромагнитную совместимость. Диапазоны рабочих частот усилителей от 0.8 ГГц до 3.1 ГГц и от 2 ГГц до 6 ГГц, уровень выходной мощности от 30 Вт до 450 Вт. Все усилители питаются от импульсного источника питания. Уровень высших гармоник менее -20 дБ относительно основной. Усилители обладают безусловной устойчивостью. Диапазон рабочих температур от 0°C до 40°C (от 32°F до 104°F)... далее...
Резисторы, реагирующие на изменение тока
Резисторы, реагирующие на изменение тока, серии BR производства компании Stackpole Electronics при кратковременных перегрузках в цепи изменяют свое сопротивление менее чем на 0.5% и менее чем на 0.25%. Номинал может быть до 1 мОм. Компоненты удовлетворяют требованиям предельного содержания вредных веществ, типовое значение паразитной индуктивности менее 1 нГн, возможные типоразмеры 1 W, 3 W и 5 W, температурный коэффициент сопротивления от 100 ппм до 20 ппм, разброс номиналов 1%, 2% и 5%. Компоненты работоспособны при температуре до 275 &or... далее...
Биполярные транзисторы для портативных приложений
Биполярные транзисторы CMLT3820G (NPN) и CMLT7820G (PNP) с низким напряжением насыщения коллектор - эмиттер производства компании Central Semiconductor поставляются в корпусе SOT-563 SMT с максимальным профилем 0.6 мм и хорошо подходят для применения в портативных приложениях с батарейным питанием. NPN CMLT3820G имеет напряжения насыщения коллектор - эмиттер 115 мВ при токе 100 мА и 280 мВ при токе 1 А. PNP CMLT7820G имеет напряжение насыщения 175 мВ при токе 100 мА и 340 мВ при токе 1 А. Цена за компонент составляет $0.12 в партии 3000 шту... далее...