Интегральные микросхемы H Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

 

ha

ha

hb

hb

hd

hd

hm

hm

ht

ht

 
h11aa1.pdf
h11aa1.pdf
(47.28Kb)
h11b1.pdf
h11b1.pdf
(43.04Kb)
h11c4_6.pdf
h11c4 6.pdf
(21.4Kb)
h11d1.pdf
h11d1.pdf
(93.9Kb)
h9na80fi.pdf
h9na80fi.pdf
(132.12Kb)
hc4017.pdf
hc4017.pdf
(281.05Kb)
hcms-2913.pdf
hcms-2913.pdf
(44.55Kb)
he-011.pdf
he-011.pdf
(4.26Kb)
he-012.pdf
he-012.pdf
(4.17Kb)
hedr-8000.pdf
hedr-8000.pdf
(6.91Kb)
hfa1135b.pdf
hfa1135b.pdf
(4.17Kb)
hfa16tb120.pdf
hfa16tb120.pdf
(131.29Kb)
hfa16tb120s.pdf
hfa16tb120s.pdf
(143.02Kb)
hfa3127b.pdf
hfa3127b.pdf
(5.5Kb)
hi-201.pdf
hi-201.pdf
(199.81Kb)
hi-201hs.pdf
hi-201hs.pdf
(213.45Kb)
hi-508a-max359.pdf
hi-508a-max359.pdf
(438.73Kb)
hi1-574ajd-5.pdf
hi1-574ajd-5.pdf
(17.92Kb)
highpow.pdf
highpow.pdf
(428.47Kb)
hip6301.pdf
hip6301.pdf
(192Kb)
hld00006m.pdf
hld00006m.pdf
(4.49Kb)
hld05000m.pdf
hld05000m.pdf
(5.45Kb)
hle12003m.pdf
hle12003m.pdf
(5.2Kb)
hn27c1024hcc-10.pdf
hn27c1024hcc-10.pdf
(31.97Kb)
hn27c1024hcp-10.pdf
hn27c1024hcp-10.pdf
(30.21Kb)
hn27c4096acc.pdf
hn27c4096acc.pdf
(36.97Kb)
hn58c256p-20.pdf
hn58c256p-20.pdf
(11.99Kb)
hn58c257t.pdf
hn58c257t.pdf
(33.86Kb)
hn58c65fp-25.pdf
hn58c65fp-25.pdf
(27.25Kb)
hn58c66fp-25.pdf
hn58c66fp-25.pdf
(32.42Kb)
hn58v66at-10.pdf
hn58v66at-10.pdf
(30.79Kb)
hn58x2464.pdf
hn58x2464.pdf
(107.51Kb)
hs642100.pdf
hs642100.pdf
(57.48Kb)
hs644120.pdf
hs644120.pdf
(80.26Kb)
hs648000.pdf
hs648000.pdf
(66.94Kb)
hsdl-1100.pdf
hsdl-1100.pdf
(7.07Kb)
hsdl1001.pdf
hsdl1001.pdf
(153Kb)
hsdl7001.pdf
hsdl7001.pdf
(130.22Kb)
Ещё в Интегральные микросхемы:
Горячие новости радиоэлектроники
Усилитель звуковой частоты NCP2824 компании ON Semiconductor
Компания ON Semiconductor представила усилитель звуковой частоты класса D NCP2824, обеспечивающий выходную мощность 2.4 Вт при сопротивлении нагрузки 4 Ом и напряжении питания 5 В. При том же напряжении питания усилитель способен выдать 1.2 Вт при сопротивлении нагрузки 8 Ом. Компонент поставляется в корпусе с 9 выводами, габаритные размеры 1.45 мм х 1.45 мм. Усилитель предназначен для применения в таких конечных приложениях как сотовые телефоны, портативные медиа плееры, а также устройства GPS. Источник ... далее...
GaN несогласованный транзистор компании RF Micro Devices
Компания RF Micro Devices, ведущий разработчик и изготовитель радиочастотных компонентов и полупроводников, представила 75 Вт нитрид галлиевый (GaN) несогласованный транзистор RF3932, имеющий высокий КПД и превосходящий по характеристикам транзисторы, выполненные по арсенид галлиевой (GaAs) и кремниевой технологии. Компонент предназначен для работы в диапазоне частот от 0 до 3 ГГц. Пиковое значение КПД составляет более 65%. На базе GaN процесса компании RFMD могут быть созданы малогабаритные и высокоэффективные усилители мощности для таких ... далее...
AC-DC источники питания с широким диапазоном входного напряжения
Компания TDK-Lambda анонсировала расширение линейки ZWS компактных AC-DC источников питания, предназначенных для поверхностного монтажа. В новую серию ZWS-BAF входят источники мощностью 100 Вт и 150 Вт. Изделия имеют габаритные размеры посадочного места на плату 2.44” x 6.1” или 3” x 6.3”, высоту от 1.3” до 1.45”. Источники идеально подходят для применения в таких приложениях как промышленное освещение, светодиодные указатели, тестовое и измерительное оборудование, игровые приставки и IT оборудование. Ист... далее...