Интегральные микросхемы P Сервисная документация, схемные решения, программы, радиокомпоненты, электроника

 

p8

p8

pb

pb

pca

pca

pcd

pcd

pcf

pcf

pdi

pdi

ps

ps

 
pc100_1.pdf
pc100 1.pdf
(84.91Kb)
pc100_2.pdf
pc100 2.pdf
(85.61Kb)
pc100_3.pdf
pc100 3.pdf
(75.95Kb)
pc16550c.pdf
pc16550c.pdf
(44.67Kb)
pc16552dv.pdf
pc16552dv.pdf
(56.38Kb)
pc410.pdf
pc410.pdf
(4.24Kb)
pc42va12.pdf
pc42va12.pdf
(211.93Kb)
pc87108avhg.pdf
pc87108avhg.pdf
(32.53Kb)
pc904.pdf
pc904.pdf
(4.61Kb)
pcb2421.pdf
pcb2421.pdf
(135.45Kb)
pcb2421_2.pdf
pcb2421 2.pdf
(112.74Kb)
pcb8517.pdf
pcb8517.pdf
(740.59Kb)
pcb8517_1.pdf
pcb8517 1.pdf
(432.96Kb)
pce84c48.pdf
pce84c48.pdf
(257.1Kb)
pce84c486_487_1.pdf
pce84c486 487 1.pdf
(168.62Kb)
pce84c82.pdf
pce84c82.pdf
(409.14Kb)
pce84c86.pdf
pce84c86.pdf
(392.99Kb)
pce84c886_1.pdf
pce84c886 1.pdf
(245.62Kb)
pcec486.pdf
pcec486.pdf
(257.92Kb)
pcec882.pdf
pcec882.pdf
(410.07Kb)
pcec886.pdf
pcec886.pdf
(393.76Kb)
pck2000_1.pdf
pck2000 1.pdf
(101.52Kb)
pck2000m_1.pdf
pck2000m 1.pdf
(92.07Kb)
pck2001_5.pdf
pck2001 5.pdf
(92Kb)
pck2001m_6.pdf
pck2001m 6.pdf
(91.02Kb)
pck2001r_1.pdf
pck2001r 1.pdf
(76.94Kb)
pck2010r_2.pdf
pck2010r 2.pdf
(111.79Kb)
pck2020_1.pdf
pck2020 1.pdf
(110.5Kb)
pck2509s_1.pdf
pck2509s 1.pdf
(79.49Kb)
pck2510s_1.pdf
pck2510s 1.pdf
(71.21Kb)
pck857_2.pdf
pck857 2.pdf
(81.8Kb)
pcm1702u-j.pdf
pcm1702u-j.pdf
(5.59Kb)
pcm69ap.pdf
pcm69ap.pdf
(17.3Kb)
pcm69u-j.pdf
pcm69u-j.pdf
(11.45Kb)
pls100x.pdf
pls100x.pdf
(127.76Kb)
pls11016-80lt.pdf
pls11016-80lt.pdf
(22.09Kb)
pls159a.pdf
pls159a.pdf
(265.98Kb)
pls173.pdf
pls173.pdf
(131.79Kb)
plsi1016-80lt.pdf
plsi1016-80lt.pdf
(49.15Kb)
plsi1032-60lj.pdf
plsi1032-60lj.pdf
(55.27Kb)
plsi2032-80lj.pdf
plsi2032-80lj.pdf
(12.81Kb)
Ещё в Интегральные микросхемы:
Горячие новости радиоэлектроники
Усилитель мощности на комплементарных МОП-структурах для беспроводных приложений
Компания Black Sand Technologies представила первый в мире радиочастотный усилитель мощности на комплементарных МОП-структурах, предназначенный для применения в системах связи стандарта 3G. В настоящее время в мобильных телефонах и других беспроводных устройствах применяются усилители мощности, выполненные по GaAs-технологии. Переход же на кремниевую технологию позволяет увеличить выход годных кристаллов, улучшить электрические характеристики, снизить стоимость, увеличить время работы при батарейном питании, а также улучшить качество телефо... далее...
DC/DC – преобразователи с коэффициентом перекрытия входного напряжения 4:1
DC/DC - преобразователи серии URB_LD-15W производства компании Mornsun имеют коэффициент перекрытия для входного напряжения 4:1 (входное постоянное напряжение от 9 В до 36 В или от 18 В до 72 В) и предназначены для применения в промышленных и связных приложениях. КПД преобразователей составляет до 85%, нестабильность выходного напряжения в нагрузке ±0.5%, нестабильность выходного напряжения по сети ±0.2%. Степень ухудшения параметров в диапазоне температур от -40°C до 85°C зависит от уровня выходного напряжения и испол... далее...
Кварцевый кристалл в малогабаритном корпусе
Кварцевый кристалл CC7A-T1A производства компании Micro Crystal предназначен для применения в приложениях, где есть критичные требования к синхронизации. Высота кристалла составляет 0.9 мм, габаритные размеры посадочного места на плату 3.2 мм x 1.5 мм. Диапазон рабочих температур от -40°C до +85/+125°C. По критерию термостабильности компонент может быть рекомендован к применению в беспроводных приложениях. Ударная нагрузка составляет до 5g. Компонент не содержит свинца и удовлетворяет требованиям предельного содержания вредных вещес... далее...